| 网站首页 | 研究报告 | 免费报告 | 产业资讯 | 数据分析 | 资源下载 | 
您现在的位置: 三代信息网 >> 数据分析 >> 电子半导体 >> 正文 用户登录 新用户注册
专 题 栏 目
最 新 热 门
最 新 推 荐
相 关 文 章
车载MEMS传感器全球供货
2013年Femtocell半导体市
SEMI:半导体设备市场09
SEMI:半导体设备市场09
ABI Research:2013年全
2010年倒车雷达OEM市场前
MIC:2011年五大数字娱乐
SEMI预测:2007年半导体
SEMI:2011年半导体塑料
Websense发布Q3财报 着手
SEMI:2010年光刻掩膜市场可达38.9亿美元
文章来源:不详 更新时间:2008-8-19

  2007年光刻掩膜市场达到30.1亿美元,其中包括零售厂商和自用厂商的销售额,掩膜市场已成为仅次于硅材料的第二大晶圆制造材料市场。展望未来,2010年掩膜市场预计可达38.9亿美元,并仍保持第二大半导体制造材料市场的位置。目前从销售收入来看,北美是最大的掩膜市场,然而中国台湾预计将在2009年超越北美。
  
  光刻技术不断推进,其中包括极紫外(EUV)、无掩膜(maskless)和纳米压印(nano-imprint)等新技术。目前沉浸式光刻用于45nm工艺量产——除了Intel例外。沉浸式光刻之所以被采用,主要是由于该技术是在原有技术上改进而得,而不是完全革命性的技术。尽管制造商必须购买沉浸式设备,但前期投资以及培训、子系统、激光器、光学材料和涂层等专业技术在沉浸式光刻中均可复用。
  
  目前的水沉浸系统在单步操作中可获得38nm的特征尺寸。在这之前,业界曾沉浸式系统中的水必须由其他液体来替代。然而,并没有找到合适的替代液体。双版技术已经出现并成为32nm工艺光刻技术的有力竞争者。但双版技术有其自身的挑战,会增加工艺的复杂度,其中包括严格的覆盖要求、关键尺寸的控制要求以及制版分离给版图设计带来的限制。所有这些挑战都会增加该技术的成本。尽管复杂度增加,该技术仍在进展中。

 
  • 上一个文章:

  • 下一个文章:
  • 【字体: 】【发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口
      网友评论:(只显示最新10条。评论内容只代表网友观点,与本站立场无关!)